中国两企突破AI芯片高带宽内存技术

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    编辑:李逸风

    首发平台:风投高科网(www.VCtech.news)

    两家中国芯片制造商在高带宽存储芯片开发上取得进展

    据路透社本周三报道,中国领先的两家芯片制造商——长鑫存储(CXMT)与武汉新芯(Wuhan Xinxin)——近年来在人工智能(AI)芯片所需的高带宽存储(HBM)半导体生产上迈出了重要一步。

    作为中国领先的动态随机存取存储器(DRAM)制造商,长鑫存储目前正与芯片封装与测试领域的龙头企业通富微电展开合作,联手开发HBM芯片样品。知情人士透露,长鑫存储已向部分客户展示了研发成果,这标志着中国在突破先进存储芯片技术领域的努力正逐步显现成效。

    与此同时,根据企业信息数据库企查查的记录显示,武汉新芯于今年2月开始动工兴建一座专用工厂。该设施设计产能为每月生产3000片12英寸的HBM晶圆。这将成为中国在HBM芯片生产领域的重要战略布局。

    报道称,长鑫存储及其他中国芯片公司目前正在与韩国和日本的半导体设备企业接洽,采购开发HBM所需的关键设备。这一跨国合作显示出中国在先进半导体技术自研与国际协作之间寻求平衡的策略。

    随着AI技术的发展,HBM因其大幅提升数据传输速率和性能的能力,已成为推动下一代AI芯片运算能力的重要突破口。业内分析认为,此次长鑫存储与武汉新芯在HBM技术上的进展,进一步强化了中国在全球半导体产业链中的潜在影响力。

    尽管面临复杂的国际环境,中国半导体企业正在通过技术合作、自主研发和扩大产能等方式积极应对外部挑战,同时不断推进产业升级。这些努力或将为中国的科技自主创新注入更多活力,并加速高端芯片技术的国产化进程。


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